ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）
vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）
vs. IC
VBE（SAT）
vs. IC
VBE（ON）
vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）
vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、
LCEO/S/X、IDSS/X、
IDOFF、
IDRM、
IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、
IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、
VD、BVCBO、
VDRM、
VRRM、
VBB、BVR
、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、
BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、
VF、VT、VT+、VT-、
VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch
= IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output
Regulation
间接参数：IL
配置规格：
|
配置
|
规格/环境
|
|
主极电压
|
1mV-2000V
|
尺 寸
|
450×570×280（mm）
|
|
电压分辨率
|
1mV
|
质 量
|
35kg
|
|
主极电流
|
0.1nA-50A
|
工作电压
|
200V-240V
|
|
扩展电流
|
100A
|
电源频率
|
47Hz-63Hz
|
|
电流分辨率
|
0.1nA
|
工作温度
|
25℃-40℃
|
|
测试精度
|
0.2%+2LSB
|
通信接口
|
RS232 USB
|
|
测试速度
|
0.5mS/参数
|
系统功耗
|
<150w
|
测试范围：
|
01
|
二极管 / DIODE
|
|
02
|
晶体管 / NPN型/PNP型
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|
03
|
J型场效应管 / J-FET
|
|
04
|
MOS场效应管 / MOS-FET
|
|
05
|
双向可控硅 / TRIAC
|
|
06
|
可控硅 / SCR
|
|
07
|
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT
|
|
08
|
硅触发可控硅 / STS
|
|
09
|
达林顿阵列 / DARLINTON
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10
|
光电耦合 / OPTO-COUPLER
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|
11
|
继电器 / RELAY
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12
|
稳压、齐纳二极管 / ZENER
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|
13
|
三端稳压器 / REGULATOR
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|
14
|
光电开关 / OPTO-SWITCH
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......其它器件共19大类27分类
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ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）
vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）
vs. IC
VBE（SAT）
vs. IC
VBE（ON）
vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）
vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、
LCEO/S/X、IDSS/X、
IDOFF、
IDRM、
IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、
IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、
VD、BVCBO、
VDRM、
VRRM、
VBB、BVR
、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、
BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、
VF、VT、VT+、VT-、
VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch
= IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output
Regulation
间接参数：IL
配置规格：
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配置
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规格/环境
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主极电压
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1mV-2000V
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尺 寸
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450×570×280（mm）
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电压分辨率
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1mV
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质 量
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35kg
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主极电流
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0.1nA-50A
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工作电压
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200V-240V
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扩展电流
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100A
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电源频率
|
47Hz-63Hz
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|
电流分辨率
|
0.1nA
|
工作温度
|
25℃-40℃
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|
测试精度
|
0.2%+2LSB
|
通信接口
|
RS232 USB
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测试速度
|
0.5mS/参数
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系统功耗
|
<150w
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测试范围：
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01
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二极管 / DIODE
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晶体管 / NPN型/PNP型
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J型场效应管 / J-FET
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MOS场效应管 / MOS-FET
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05
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双向可控硅 / TRIAC
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06
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可控硅 / SCR
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绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT
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硅触发可控硅 / STS
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达林顿阵列 / DARLINTON
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光电耦合 / OPTO-COUPLER
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继电器 / RELAY
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稳压、齐纳二极管 / ZENER
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三端稳压器 / REGULATOR
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光电开关 / OPTO-SWITCH
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......其它器件共19大类27分类
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