功能指标：
技术条件
开启栅电荷QgOn
存储电荷Qgs
平台电荷Qgd
平台电压PlateauVoltage
导通电阻RdsOn
栅电阻Rg
阈值电压 GateThresholdVoltage
ld=1to100Amps
Vdd=5to95V
Vg=+/-1to+/-19V
lg=0.1to10ma
ld@threshold=100to1000ua
Qg=0.5to500nC
Rds(on)=0.001to2.0Ohms
Gate/Drainwaveform
capture/storage
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